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英特尔ARM之战三栅极3D晶体管左右战局

发布时间:2019-07-17 19:38:14

  公司之间的纷争有其独特的魅力。英特尔 VS AMD就是热议多年的话题,然后又变成微软 VS 谷歌。现在最有趣的一对是英特尔 VS ARM。英特尔发布3栅极3D晶体管以后,关于该技术能否左右二者之间的战局业界已有很多评论文章。

  目前看来,ARM似乎肯定会采取平面的22nm工艺,而英特尔则会采取Tri-Gate3栅极3D晶体管。要评判3栅极晶体管能否为英特尔提供显著优势,先得回答一些问题:

  英特尔称22nm三栅极晶体管功耗比自己的32nm平面晶体管低50%。但22nm3栅极晶体管与22nm平面晶体管的功耗差异有多大呢?

  采取22nm3栅极晶体管以后,芯片能比采取22nm平面晶体管节省多少功耗?10%,30%,还是50%?

  這些都不難估算,我們來做個測試。

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